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[新聞] SK海力士開發出世界首個快四倍的“超高速
Dec 27th 2013, 16:18, by pf775

作者pf775 (pf775)

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標題[新聞] SK海力士開發出世界首個快四倍的“超高速

時間Fri Dec 27 16:18:47 2013

http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=113582 SK海力士開發出世界首個快四倍的“超高速DRAM” 曹慧京 記者 2013.12.27 10:30 SK海力士開發出了世界首個以四段堆積DRAM的HBM（高帶寬內存）。與現有DRAM產品相比， 數據處理快四倍，耗電量減少40%左右。計劃從明年下半年在位於京畿道利川的總公司工廠 正式開始量產。 SK海力士12月26日表示，與美國半導體公司AMD聯合開發了運用TSV技術的HBM。HBM是正在 JEDEC（全球半導體標準組織）進行標準化的新一代半導體產品，具有比現有DRAM產品的 性能高、容量大以及耗電更少的優點。新產品在1.2V電壓中的處理速度為1Gbps ，總共有 1024個信息出入口，每秒可處理128GB的數據，比GDDR5(每秒處理數據28GB)還要快四倍以 上。此次新產品預計在世界DRAM半導體市場上也會成為劃時代的產品。 新HBM預計會以高級式樣圖形市場開始，未來用於服務器、超級電腦和網絡市場。DRAM開 發本部長（專務）洪性柱表示“我們將以HBM產品明年商用化開始，更加強化產品組合， 在存儲器市場引導主導權”。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.25.31.222

→ qliver:不是燒了？ 12/27 16:45

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